GT60N321 TOSHIBA IGBT SINGLE PACK
آی جی بی تی تکی توشیبا (اورجینال)

تماس بگیرید

 

  • مشخصات فنی
    Voltage 1000V
    Ptot 170W
    IC nom 60A
    ICRM 120A
    مشخصات کلی
    اطلاعات بیشتر

    Features :

    .  High-Power Switching Applications Fourth Generation IGBT
    .
      FRD included between emitter and collector
    .
      Enhancement mode type
    .
      High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 60 A) FRD : trr = 0.8 μs (typ.) (di/dt = −20 A/μs)
    .
      Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)

    Data Sheet

    GT60N321 .PDF